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    技術文章
    • 可控硅的測量方法介紹 鑒別可控硅三個極的方法很簡單,根據P-N結的原理,只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個P-N...
      發布時間:2016-05-09 點擊次數:370 次
    • IGBT模塊的散熱技術發展 IGBT模塊散熱技術散熱的過程  1 IGBT在結上發生功率損耗;  2 結上的溫度傳導到IGBT模塊殼上;  3 IGBT模塊上的熱傳導散熱器上;  4 散熱器上的熱傳導到空氣中。  散熱環節影響散熱程度影響...
      發布時間:2016-05-05 點擊次數:343 次
    • ABB可控硅結構 ABB可控硅結構結構 大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導體材料組成的,有三個PN結,對外有三個電極〔圖2(a)〕:**層P型半導體引出的電極叫陽極A,第三層P型半導體引出的電極...
      發布時間:2016-04-14 點擊次數:366 次
    • IGBT模塊應用指南 IGBT是絕緣柵雙極型晶體管( Isolated Gate Bipolar Transistor ),它是八十年代初誕生,九十年代迅速發展起來的新型復合電力電子器件。IGBT將MOSFET與GTR的優點集于一身...
      發布時間:2016-04-09 點擊次數:348 次
    • FERRAZ熔斷器的注意事項 FERRAZ熔斷器使用維修:1、熔體熔斷時,要認真分析熔斷的原因,可能的原因有: 1)短路故障或過載運行而正常熔斷; 2)熔體使用時間過久,熔體因受氧化或運行中溫度高,使熔體特性變化而誤斷; 3)熔體安裝...
      發布時間:2016-04-05 點擊次數:353 次
    • IGBT模塊散熱器選擇及使用原則 IGBT模塊散熱器選擇及使用原則  一、散熱器選擇的基本原則  1, 散熱器選擇的基本依據 IGBT模塊散熱器選擇要綜合根據器件的耗散功率、器件結殼熱阻、接觸熱阻以及冷卻介質溫度來考慮。  2, 器件與散熱器緊...
      發布時間:2016-03-28 點擊次數:378 次
    • IGBT模塊使用中要注意的點   由于IGBT模塊為MOSFET結構,IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達到20~30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以...
      發布時間:2016-03-18 點擊次數:392 次
    • 變頻器IGBT模塊故障維修實況 變頻器IGBT模塊故障維修過程  (1) 首先更換損壞器件。將3μf /1200v電容更換后,再將隔離開關合上,給控制柜送電,控制柜沒反應,電源燈不亮,電壓表沒有指示。  (2) 輸入端接有高壓熔斷器,懷疑是它...
      發布時間:2016-03-14 點擊次數:394 次
    • IXYS可控硅單向晶閘管的工作特性 IXYS可控硅單向晶閘管的特性,可以用以下幾個主要參數來表征。  ①額定平均電流IT:在規定的條件下,晶閘管允許通過的50Hz正弦波電流的平均值。  ②正向轉折電壓VBo:是指在額定結溫及控制極開路的條件下,在...
      發布時間:2016-03-09 點擊次數:404 次
    • 可控硅的用途介紹 可控硅,是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,亦稱為晶閘管。具有體積小、結構相對簡單、功能強等特點,是比較常用的半導體器件之一。該器件被廣泛應用于各種電子設備和電子產品中,多...
      發布時間:2016-03-07 點擊次數:383 次
    • IGBT模塊散熱器都分為哪幾種優勢 IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流...
      發布時間:2016-03-01 點擊次數:337 次
    • IXYS可控硅的優點很多 IXYS可控硅的優點很多 (IXYS可控硅)可控硅的優點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等. 可控硅的弱...
      發布時間:2016-02-26 點擊次數:370 次
    • IXYS可控硅有多種分類方法 (一)按關斷、導通及控制方式分類:IXYS可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。(二)按引腳和極性分類:可...
      發布時間:2016-02-22 點擊次數:365 次
    • IGBT模塊的簡介   IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MO...
      發布時間:2016-02-16 點擊次數:345 次
    • IGBT模塊的幾項新技術介紹 IGBT的模塊內置整流模塊電路、逆變主回路和再生回路,以降低損耗和降低成本,這種新型模塊稱為功率集成模塊,簡稱PIM(PowerIntegratedModule)。IGBT模塊是一種高速開關,第四代IGBT在開...
      發布時間:2016-02-03 點擊次數:467 次
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