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    技術文章
    • IGBT模塊簡單介紹 IGBT模塊簡單介紹 IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功...
      發布時間:2016-08-11 點擊次數:387 次
    • FERRAZ熔斷器的級間配合   為防止發生越級熔斷、擴大事故范圍,上、下級(即供電干、支線)線路的熔斷器間應有良好配合。選用時,應使上級(供電干線)FERRAZ熔斷器的熔體額定電流比下級(供電支線)的大1~2個級差。常用的熔斷器有管式熔...
      發布時間:2016-08-08 點擊次數:361 次
    • IGBT模塊的技術發展   IGBT模塊采用IC驅動,各種驅動保護電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術,從復合功率模塊PIM發展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發展,其產品水平為120...
      發布時間:2016-08-03 點擊次數:393 次
    • ABB可控硅的形式 常用的有阻容移相橋觸發電路、單結晶體管觸發電路、晶體三極管觸發電路、利用小晶閘管觸發大晶閘管的觸發電路,等等。可控硅的主要參數有:平均值1、 額定通態平均電流IT在一定條件下,陽極---陰極間可以連續通過的50...
      發布時間:2016-07-25 點擊次數:417 次
    • IGBT模塊的作用 1.IGBT模塊的選擇 IGBT模塊的電壓規格與所用于裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。用于中當模塊集電極電流增大時,所產生的額定損耗亦變大。同時,開關損耗增大,使原件發熱加劇,因此,...
      發布時間:2016-07-19 點擊次數:441 次
    • IXYS可控硅結構原件 IXYS可控硅結構原件 IXYS可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件,共有三個PN結,分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅:雙向可控硅是一種硅可控整...
      發布時間:2016-07-13 點擊次數:373 次
    • IXYS可控硅的方法 晶閘管的特點是具有可控的單向導電,即與一般的二極管相比,可以對導通電流進行控制。晶閘管具有以小電流(電壓)控制大電流(電壓)作用,并體積小、輕、功耗低、效率高、開關迅速等優點,IXYS可控硅廣泛用于無觸點開關、...
      發布時間:2016-07-07 點擊次數:461 次
    • BUSSMANN熔斷器簡單介紹 BUSSMANN熔斷器簡單介紹 BUSSMANN熔斷器(fuse)是指當電流超過規定值時,以本身產生的熱量使熔體熔斷,斷開電路的一種電器。熔斷器是根據電流超過規定值一段時間后,以其自身產生的熱量使熔體熔化,從...
      發布時間:2016-06-30 點擊次數:338 次
    • IGBT模塊使用注意事項 由于IGBT模塊為MOSFET結構,IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達到20~30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是(IGBT模塊)IGBT失效的常見原因之一。因此使...
      發布時間:2016-06-24 點擊次數:375 次
    • BUSSMANN熔斷器常見種類 BUSSMANN熔斷器常見種類 插入式熔斷器:它常用于380V及以下電壓等級的線路末端,作為配電支線或電氣設備的短路保護用。 螺旋式熔斷器:熔體上的上端蓋有一熔斷指示器,一旦熔體熔斷,指示器馬上彈出,可透過...
      發布時間:2016-06-17 點擊次數:400 次
    • FERRAZ熔斷器的結構與功能特點   FERRAZ熔斷器是利用金屬導體作為熔體串聯于電路中,當過載或短路電流通過熔體時,因其自身發熱而熔斷,從而分斷電路的一種電器。  熔體額定電流不等于熔斷器額定電流,熔體額定電流按被保護設備的負荷電流選擇,熔...
      發布時間:2016-06-08 點擊次數:338 次
    • IGBT模塊的靜態特性   IGBT模塊的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性和開關特性。  IGBT模塊的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時,漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制,Ugs越高,Id越...
      發布時間:2016-06-03 點擊次數:331 次
    • IGBT模塊驅動保護要點 IGBT模塊的應用電路有半橋電路逆變、全橋電路逆變、三相逆變、斬波應用等。IGBT模塊已被廣泛應用于UPS、感應加熱電源、逆變焊機電源和電機變頻調速等電源領域。1、IGBT柵極驅動電壓Uge  理論上Uge≥U...
      發布時間:2016-05-30 點擊次數:407 次
    • IGBT模塊散熱器*基本的使用說明 IGBT模塊散熱器*基本的用于說明。  ㈠ 依據裝置負載的工作電壓和額定電流以及用于頻率,選擇合適規格的模塊。用戶用于模塊前請詳細閱讀模塊參數數據表,了解模塊的各項技術指標;根據模塊各項技術參數確定用于方案,計...
      發布時間:2016-05-20 點擊次數:340 次
    • IGBT模塊散熱器的應用 IGBT散熱器裝置  ① 散熱器應根據用于環境及模塊參數進行匹配選擇,以保證模塊工作時對散熱器的要求。  ② 散熱器表面的光潔度應小于10mm,每個螺絲之間的平面扭曲小于10mm。散熱器表面如有凹陷,會導致接觸...
      發布時間:2016-05-16 點擊次數:443 次
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