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    IGBT模塊的發展簡述

    日期:2020-08-21 21:21
    瀏覽次數:319
    摘要:
        IGBT是絕緣門極雙極型晶體管(Isolated Gate Bipolar Transistor)的英文縮寫。它是八十年代末,九十年代初迅速發展起來的新型復合器件。由于它將MOSFET和GTR的優點集于一身,既有輸入阻抗高,速度快,熱穩定性好,電壓驅動(MOSFET的優點,克服GTR缺點);又具有通態壓降低,可以向高電壓、大電流方向發展(GTR的優點,克服MOSFET的缺點)等綜合優點,因此IGBT發展很快,在開關頻率大于1KHz,功率大于5KW的應用場合具有優勢。隨著以 MOSFET、IGBT 為代表的電壓控制型器件的出現,電力電子技術便從低頻 迅速邁入了高頻電力電子階段,并使電力電子技術發展得更加豐富,同時為高效節能、省材 、新能源、自動化及智能化提供了新的機遇。
        IGBT模塊是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。


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